Galliumnitrid

Kristallstruktur
_ Ga3+ 0 _ N3−
Allgemeines
Name	Galliumnitrid
Verhältnisformel	GaN
Kurzbeschreibung	gelber, geruchloser Feststoff[1]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 25617-97-4 EG-Nummer 247-129-0 ECHA-InfoCard 100.042.830 PubChem 117559 Wikidata Q411713
Eigenschaften
Molare Masse	83,72 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	6,1 g·cm−3[1]
Löslichkeit	nahezu unlöslich in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[2] Achtung H- und P-Sätze H: 317 P: 280[2]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), einer Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet.

1. ↑ ^{a b c} Datenblatt Galliumnitrid bei Alfa Aesar, abgerufen am 29. Januar 2010 (Seite nicht mehr abrufbar).
2. ↑ ^{a b} Datenblatt Gallium nitride bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 2. April 2011 (PDF).